光导体读出电路
公开
摘要
提出了一种装置。装置(110)包括：‑光导体(112)的至少一个阵列(113)，其中，每个光导体(112)被配置用于展现出取决于其光敏区域的照射的电阻，其中，阵列(113)的至少一个光导体(112)被设计为表征光导体(118)；‑至少一个偏置电压源(116)，其中，偏置电压源(116)被配置用于将至少一个交变偏置电压施加到表征光导体(118)或将至少一个直流(DC)偏置电压施加到表征光导体(118)；‑至少一个光导体读出电路(130)，其中，光导体读出电路(130)被配置用于确定表征光导体(118)的响应于偏置电压产生的响应电压，其中，响应电压与表征光导体(112)的阵列(113)的变量成比例，其中，光导体读出电路(130)被配置用于在光导体(112)的阵列(113)的操作期间确定表征光导体(118)的响应电压。
基本信息
专利标题 ：
光导体读出电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556062A
申请号 ：
CN202080071025.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
B·福伊尔施泰因S·瓦鲁施R·古斯特S·克鲁厄R·森德D·R·古尔德
申请人 ：
特里纳米克斯股份有限公司
申请人地址 ：
德国莱茵河畔路德维希港
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
姜利芳
优先权 ：
CN202080071025.4
主分类号 ：
G01J1/46
IPC分类号 ：
G01J1/46 G01J3/28 G01J1/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J1/00
光度测定法，例如照相的曝光表
G01J1/42
采用电辐射检测器
G01J1/44
电路
G01J1/46
采用电容器的
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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