一种实现接口的方法和装置
发明专利申请公布后的驳回
摘要

本发明公开了一种实现接口的方法和装置,该装置包括:仅支持锁存型双列直插式内存模组(Registered DIMM)的内存控制器、时钟驱动器、地址信号锁存器和控制信号锁存器。该方法为:时钟驱动器将从仅支持Registered DIMM内存控制器处接收的时钟信号进行驱动后发送至无缓存型双列直插式内存模组(Unbuffered DIMM)以及地址信号锁存器和控制信号锁存器;地址信号锁存器和控制信号锁存器分别接收仅支持Registered DIMM的内存控制器输出的地址信号和控制信号,并在时钟信号的控制下分别将地址信号和控制信号锁存后发送至Unbuffered DIMM。本发明能够保证仅支持RegisteredDIMM的内存控制器可与Unbuffered DIMM进行接口。

基本信息
专利标题 :
一种实现接口的方法和装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1787110A
申请号 :
CN200510116988.9
公开(公告)日 :
2006-06-14
申请日 :
2005-10-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王心远陈道威田浩彭广平张金华
申请人 :
杭州华为三康技术有限公司
申请人地址 :
310053浙江省杭州市高新技术产业开发区之江科技工业园六和路东华为3com公司
代理机构 :
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 :
宋志强
优先权 :
CN200510116988.9
主分类号 :
G11C11/409
IPC分类号 :
G11C11/409  G11C8/06  G06F13/00  G06F12/00  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
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G11C11/34
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G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
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G11C11/4063
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G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/409
读写电路
法律状态
2009-05-06 :
发明专利申请公布后的驳回
2006-08-09 :
实质审查的生效
2006-06-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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