半导体器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种半导体器件。在形成有控制电路区域(2)和功率晶体管区域(1)的半导体器件中，构成推挽电路的接地一侧晶体管(11)和控制电路区域(2)之间形成第一虚设区域(4)，在接地一侧晶体管(11)和半导体衬底(3)的端面(5)之间形成第二虚设区域(6)。第一和第二虚设区域(4、6)的导电型和半导体衬底(3)不同，第二虚设区域6与接地一侧晶体管(11)和第一虚设区域(4)之间的半导体衬底部分(9)电气连接。于是，提供了即使在输出端子感应出负电位，也会妨碍让控制电路(2)产生误动作的寄生晶体管导通的半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779977A
申请号 ：
CN200510116058.3
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
城越英树
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200510116058.3
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L23/522 H02P7/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2008-07-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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