沟槽的集成结构及其制造方法
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摘要
本发明公开了一种沟槽的集成结构，在半导体衬底上同时集成有宽度差异较大的第一沟槽和第二沟槽；在版图结构上，第二沟槽分成第一子沟槽和第二子沟槽以及间隔区域；第一和第二子沟槽和第一沟槽的宽度差异较小，各向异性沟槽刻蚀工艺后第一沟槽、所述第一子沟槽和所述第二子沟槽的深度差异满足要求值；间隔区域通过各向同性的各向异性沟槽刻蚀工艺被去除使第一和第二子沟槽在宽度方向上打通并形成第二沟槽。本发明还公开了一种沟槽的集成结构的制造方法。本发明能消除宽度差异较大的沟槽在各向异性刻蚀工艺后深度会差别较大的缺陷，使不同宽度的沟槽的深度差异变小或无差异，应用于沟槽栅半导体器件时，能提高器件的击穿电压或降低器件的比导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
沟槽的集成结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111128853A
申请号 ：
CN201911373708.0
公开（公告）日 ：
2020-05-08
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN111128853B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
陈正嵘
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN201911373708.0
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L27/06 H01L27/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-06-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20191227
申请日 : 20191227
2020-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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