带有顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种带有顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法。该方法包括以下依次进行的步骤：提供硅衬底层，硅衬底层上定义有沟槽隔离结构窗口；使得聚合物气体流经硅衬底层；使得聚合物气体电离形成聚合物离子，聚合物离子沉积在沟槽隔离结构窗口的表面形成聚合物层；基于表面形成有形成聚合物层的沟槽隔离结构窗口，对硅衬底层进行第一次刻蚀，形成第一浅沟槽结构，第一浅沟槽结构的顶角上覆盖有剩余聚合物层；基于沟槽隔离结构窗口，对硅衬底层进行第二次刻蚀，使得第一浅沟槽结构向下延伸形成沟槽结构；剩余聚合物层对顶角的保护作用降低第二次刻蚀对顶角的刻蚀速率，使得顶角圆角化形成顶部圆角。
基本信息
专利标题 ：
带有顶部圆角沟槽隔离结构的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284203A
申请号 ：
CN202111520625.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张振兴熊磊谭理
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202111520625.7
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/308 H01L21/3065 H01L21/312
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20211213
申请日 : 20211213
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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