带分段深沟槽的深沟槽隔离
公开
摘要
一种半导体器件(100)具有位于衬底(108)中的沟槽结构(116)的第一沟槽(102)和第二沟槽(104)。第二沟槽(104)与第一沟槽(102)分隔开小于第一沟槽(102)的第一沟槽宽度(118)并且小于第二沟槽(104)的第二沟槽宽度(120)的沟槽空间(106)。沟槽结构(116)包括具有第一导电类型的掺杂护套(148)，其接触并横向围绕第一沟槽(102)和第二沟槽(104)。掺杂护套(148)从顶表面(114)延伸到隔离层(110)，并横跨沟槽空间(106)从第一沟槽(102)延伸到第二沟槽(104)。该半导体器件(100)包括第一区域(150)和第二区域(152)，二者位于半导体层(112)中，具有相反的第二导电类型。第一区域(150)与第二区域(152)由第一沟槽(102)、第二沟槽(104)及掺杂护套(148)分隔。
基本信息
专利标题 ：
带分段深沟槽的深沟槽隔离
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497175A
申请号 ：
CN202111219226.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
B·胡Y·邵J·K·艾瑞诗
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐东升
优先权 ：
CN202111219226.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/762
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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