用于集成电路的浅沟槽隔离
授权
摘要
本公开实施例描述了可以在浅沟槽隔离结构(STI)结构中形成气隙的制造方法。例如，方法包括图案化衬底上方的半导体层以形成半导体岛并且氧化半导体岛的侧壁表面以在侧壁表面上形成第一衬垫。此外，该方法包括在第一衬垫和衬底上方沉积第二衬垫，以及在半导体岛之间沉积第一介电层。去除第一介电层和第一衬垫之间的第二衬垫以在第一介电层和第一衬垫之间形成开口，并且在第一介电层上方沉积第二介电层以封闭开口并且在第一介电层和第一衬垫之间形成气隙，使得气隙沿着第一衬垫设置。本发明实施例涉及用于集成电路的浅沟槽隔离。
基本信息
专利标题 ：
用于集成电路的浅沟槽隔离
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110634791A
申请号 ：
CN201811544217.3
公开（公告）日 ：
2019-12-31
申请日 ：
2018-12-17
授权号 ：
CN110634791B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
古尔巴格·辛格陈信吉庄坤苍
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201811544217.3
主分类号 ：
H01L21/764
IPC分类号 ：
H01L21/764 H01L21/8234 H01L27/088
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/764
空气隙
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-01-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/764
申请日 : 20181217
申请日 : 20181217
2019-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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