浅沟槽隔离结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种浅沟槽隔离结构及其制作方法。其中，浅沟槽隔离结构包括：浅沟槽，位于衬底内；离子注入区，位于衬底内，且位于浅沟槽的底壁外围；隔离材料层和等离子体阻挡层，填充于浅沟槽内，且等离子体阻挡层位于离子注入区与隔离材料层之间。等离子体阻挡层可以有效阻止等离子体继续进入离子注入区，从而对离子注入区进行有效保护。因此，本申请可以有效保障离子注入区对漏电通道的阻断作用，进而防止半导体器件的产品良率随工艺节点减小而降低，从而有利于实现相关产品向更先进工艺节点迈进。
基本信息
专利标题 ：
浅沟槽隔离结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429933A
申请号 ：
CN202011180484.4
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马凤麟于绍欣金兴成王志伟
申请人 ：
无锡华润微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭凤杰
优先权 ：
CN202011180484.4
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20201029
申请日 : 20201029
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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