一种CMOS浅沟槽结构及其制作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种CMOS浅沟槽结构，包括带有浅沟槽的硅衬底和位于上层的氮化硅，在硅衬底的沟槽中填充有二氧化硅。本发明还公开了一种制作上述的CMOS浅沟槽结构的方法，首先备制好浅沟槽，制作出带有浅沟槽的硅衬底及上部覆盖有氮化硅的结构，然后用氧化的方法使浅沟槽内侧的硅反应生成二氧化硅，并将浅沟槽填充。本发明通过使硅衬底的硅反应生成二氧化硅并填充浅沟槽而起到隔离的作用，其方法容易实现，成本低廉，其结构可靠耐用，性能优良。
基本信息
专利标题 ：
一种CMOS浅沟槽结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964049A
申请号 ：
CN200510110124.6
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
倪立华李菲
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110124.6
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L27/082 H01L21/762 H01L21/8238 H01L21/8222
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2009-03-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
