深沟槽隔离结构
授权
摘要
本发明涉及深沟槽隔离结构。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及深沟槽隔离结构以及制造方法。所述结构包括：位于衬底上的至少一个栅极结构；位于所述衬底之上的层间电介质材料；以及沟槽隔离结构，其延伸到与所述至少一个栅极结构邻近的所述衬底中并终止于所述衬底之上的所述层间电介质材料中。
基本信息
专利标题 ：
深沟槽隔离结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109817696A
申请号 ：
CN201810239597.3
公开（公告）日 ：
2019-05-28
申请日 ：
2018-03-22
授权号 ：
CN109817696B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
S·M·尚克D·沃恩T·段
申请人 ：
格芯公司
申请人地址 ：
开曼群岛大开曼岛
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
李峥
优先权 ：
CN201810239597.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/762
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法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-12-15 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 29/06
登记生效日 : 20201202
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯美国公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20201202
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯美国公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
2019-06-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20180322
申请日 : 20180322
2019-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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