掩模层与浅沟槽隔离结构的形成方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种掩模层的形成方法，首先，提供一基底。再于基底上形成掩模层。然后，将掩模层图案化，以形成图案化掩模层，并裸露部分基底的表面。接着，进行圆弧化工艺，以圆弧化图案化掩模层的顶部边角。
基本信息
专利标题 ：
掩模层与浅沟槽隔离结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005027A
申请号 ：
CN200610005896.8
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈志铭潘建勋黄德浩邱达燕刘庆冀
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005896.8
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/762
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2010-03-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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