浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法

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摘要

本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法，衬底上形成有一掩模层，刻蚀所述掩模层以形成若干第一沟槽，且在所述第一沟槽的侧壁上形成聚合物层；继续刻蚀所述第一沟槽底部的衬底，形成第二沟槽，本发明在刻蚀所述掩模层的同时在第一沟槽的侧壁上形成聚合物层，后续仅需要去除聚合物层即可使第二沟槽的槽口露出，然后便可方便的圆化所述第二沟槽的槽口，整个工艺流程简单、步骤少，并且所有的刻蚀步骤以及去除聚合物层的步骤均可以采用干法刻蚀，不用转换刻蚀工艺，简化了浅沟槽隔离结构的制备工艺，提高了产率并且降低了生产成本。

基本信息

专利标题：

浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110211919A

申请号：

CN201910636671.X

公开（公告）日：

2019-09-06

申请日：

2019-07-15

授权号：

CN110211919B

授权日：

2022-05-10

发明人：

伍林肖庆闵新龙

申请人：

武汉新芯集成电路制造有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

屈蘅

优先权：

CN201910636671.X

主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/762