半导体器件中的隔离薄膜及其形成方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种在半导体器件中的隔离薄膜及其形成方法。隔离薄膜形成于一周边区域的一掺杂区域中，其中该掺杂区域与一单元区域的一深阱区被隔离开来，以及该隔离薄膜比在该单元区域的一隔离薄膜要厚些，以便不会产生一寄生晶体管(Parasitic transistor)及可防止一漏电流。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件中的隔离薄膜及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1862788A
申请号 ：
CN200510136226.5
公开（公告）日 ：
2006-11-15
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴成基
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510136226.5
主分类号 ：
H01L21/8247
IPC分类号 ：
H01L21/8247 H01L21/762 H01L27/115
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法律状态
2015-02-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101598341196
IPC(主分类) : H01L 21/8247
专利号 : ZL2005101362265
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20131223
号牌文件序号 : 101598341196
IPC(主分类) : H01L 21/8247
专利号 : ZL2005101362265
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20131223
2009-01-14 ：
授权
2007-01-10 ：
实质审查的生效
2006-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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