用于在半导体器件中形成隔离区的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种用于在例如光电二极管的半导体器件中形成隔离区的方法,在光电二极管的N型区与注入P型杂质离子的离子注入层之间,以及在光电二极管的N型区与P型半导体的衬底之间的边界处形成耗尽层,以使漏电流最小化,并消除接触面缺陷。采用低温处理以防止衬底中的杂质离子不合需要地扩散,以使半导体器件的针扎效应最大化。该方法包括以下步骤:在衬底中形成沟道区;通过向沟道区的内侧壁注入杂质离子形成离子注入层,其中相对于沟道区的内侧壁的表面倾斜地注入该杂质离子;以及通过用插入离子注入层的不掺杂硅酸盐玻璃膜填充沟道区,来形成半导体器件的隔离区。
基本信息
专利标题 :
用于在半导体器件中形成隔离区的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1822346A
申请号 :
CN200510097484.7
公开(公告)日 :
2006-08-23
申请日 :
2005-12-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
玄祐硕
申请人 :
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 :
韩国首尔
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
余刚
优先权 :
CN200510097484.7
主分类号 :
H01L21/76
IPC分类号 :
H01L21/76
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2015-02-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599309511
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL2005100974847
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20131228
号牌文件序号 : 101599309511
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL2005100974847
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20131228
2010-05-05 :
授权
2006-10-18 :
实质审查的生效
2006-08-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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