具有器件隔离区的半导体器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种元件隔离及金属布线优于现有技术的半导体器件，其元件隔离结构包括形成在掺杂衬底上的元件区域、元件隔离区，以及形成在半导体基体表面上及其背面的金属布线。所述元件隔离区内形成有与金属布线相连、沿纵向延伸的金属淀积层，所述半导体基体借助于与基体导电类型相反的一层区域与所述金属布线层相绝缘。本发明的半导体器件能降低元件隔离区的阻抗、防止自锁和干扰，即使减小布线平面面积也能保证允许电流量，且能高精度地形成布线结构。
基本信息
专利标题 ：
具有器件隔离区的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1056953A
申请号 ：
CN91103573.7
公开（公告）日 ：
1991-12-11
申请日 ：
1991-05-31
授权号 ：
CN1021862C
授权日 ：
1993-08-18
发明人 ：
石敬治片冈有三一濑敏彦高桥秀和大图逸男
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN91103573.7
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76 H01L23/522 H01L27/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2006-08-09 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1993-08-18 ：
授权
1991-12-11 ：
公开
1991-10-16 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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