半导体器件
专利权的终止
摘要
一种包括一介质层；至少一个位于介质层中具有侧壁和底部的、高宽比大的亚微米孔或线路，以及在该至少一个孔中或线路上的基本共形的衬垫的半导体器件，且其底部的衬垫厚度大于侧壁的衬垫厚度。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1192050A
申请号 ：
CN97119558.7
公开（公告）日 ：
1998-09-02
申请日 ：
1993-02-24
授权号 ：
CN1111908C
授权日 ：
2003-06-18
发明人 ：
雷吉夫·Ｖ·乔西杰罗姆·Ｊ·库欧莫霍玛兹雅·Ｍ·达拉尔路易斯·Ｌ·苏
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN97119558.7
主分类号 ：
H01L23/52
IPC分类号 ：
H01L23/52 H01L21/768 H01L21/283 H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
法律状态
2013-04-03 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101429918057
IPC(主分类) : H01L 23/52
专利号 : ZL971195587
申请日 : 19930224
授权公告日 : 20030618
期满终止日期 : 20130224
号牌文件序号 : 101429918057
IPC(主分类) : H01L 23/52
专利号 : ZL971195587
申请日 : 19930224
授权公告日 : 20030618
期满终止日期 : 20130224
2003-06-18 ：
授权
1998-09-02 ：
公开
1998-08-05 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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