金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法
授权
摘要
本发明提供一种金属‑绝缘体‑金属电容器结构，包括下电极、介质层、界面层以及上电极；介质层形成于下电极上；上电极形成于介质层上；界面层形成于介质层与上电极之间，和/或，界面层形成于介质层与下电极之间；其中，下电极包括互连金属层及金属阻挡层，金属阻挡层位于互连金属层与介质层之间，金属阻挡层的厚度大于400埃，界面层的粗糙度小于金属阻挡层面向介质层的表面的粗糙度，界面层的介电常数大于介质层的介电常数。本发明中，通过增厚下电极中的金属阻挡层的厚度，及增设界面层覆盖金属阻挡层和/或介质层的上表面，用以光滑下电极的表面，从而提高其击穿电压，并利用第二介电常数大于第一介电常数，以提高其电容值。
基本信息
专利标题 ：
金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114038832A
申请号 ：
CN202210012721.9
公开（公告）日 ：
2022-02-11
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
CN114038832B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
张志敏陈献龙
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯启正
优先权 ：
CN202210012721.9
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2022-03-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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