形成电容器结构的方法和金属-绝缘体-金属电容器结构
实质审查的生效
摘要
在一些实施例中，本发明涉及一种形成电容器结构的方法。该方法包括在下电极层上方形成电容器介电层，以及在电容器介电层上方形成上电极层。蚀刻该上电极层以限定上电极并且暴露电容器介电层的一部分。在上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上方并且还沿着该上电极的侧壁形成间隔件结构。蚀刻间隔件结构，以从上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上方除去间隔件结构并且限定间隔件。根据间隔件蚀刻电容器介电层和下电极层，以限定电容器电介质和下电极。本发明的实施例还涉及金属‑绝缘体‑金属电容器结构。
基本信息
专利标题 ：
形成电容器结构的方法和金属-绝缘体-金属电容器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530555A
申请号 ：
CN202210084457.X
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾宣翰陈春元周禄盛曾晓晖施俊吉
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210084457.X
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
