金属-绝缘体-半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及采用低温工艺制造高可靠性的MIS半导体器件。公开了一种制造MIS半导体器件的方法，其中，在半导体基片或者半导体薄膜中有选择地形成掺杂区，于是采取预防措施，以便激光或者相当的高强度光能照射到掺杂区和其相邻的有源区之间的边界，并且从上面照射激光或者相当的高光强的光，而达到激活的效果。
基本信息
专利标题 ：
金属-绝缘体-半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1917154A
申请号 ：
CN200610099720.3
公开（公告）日 ：
2007-02-21
申请日 ：
1994-01-18
授权号 ：
CN100570835C
授权日 ：
2009-12-16
发明人 ：
山崎舜平竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN200610099720.3
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2013-03-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101416718450
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100997203
申请日 : 19940118
授权公告日 : 20091216
终止日期 : 20120118
号牌文件序号 : 101416718450
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100997203
申请日 : 19940118
授权公告日 : 20091216
终止日期 : 20120118
2009-12-16 ：
授权
2007-04-18 ：
实质审查的生效
2007-02-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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