金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种MIS型半导体器件及其制造方法，其特征在于在一个半导体衬底或半导体薄膜上选择地形成杂质区，而这些杂质区由从上面辐照的激光束或等效的强光辐照而激活，因而激光束或等效强光辐照在杂质区以及杂质区与邻接杂质区的激活区间的边界。
基本信息
专利标题 ：
金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1219775A
申请号 ：
CN98115960.5
公开（公告）日 ：
1999-06-16
申请日 ：
1994-01-18
授权号 ：
CN1156016C
授权日 ：
2004-06-30
发明人 ：
山崎舜平竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
叶恺东
优先权 ：
CN98115960.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/786 H01L21/336
法律状态
2014-03-12 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101575524027
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL981159605
申请日 : 19940118
授权公告日 : 20040630
期满终止日期 : 20140118
号牌文件序号 : 101575524027
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL981159605
申请日 : 19940118
授权公告日 : 20040630
期满终止日期 : 20140118
2004-06-30 ：
授权
1999-06-16 ：
公开
1999-05-19 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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