用于制造表面安装类型半导体器件的方法以及对应的半导体器件
授权
摘要
本发明的各个实施例涉及用于制造表面安装类型半导体器件的方法以及对应的半导体器件。一种用于制造表面安装半导体器件，尤其是四方扁平无引线多行(QFN_mr)类型的表面安装半导体器件的方法，包括：提供(110)金属的引线框架，尤其是铜的引线框架，该金属引线框架包括多个焊盘(12a)，该多个焊盘(12a)中的每一个被设计用于容纳器件的主体(20；20')，焊盘(12a)通过接线键合接触区域(12)的一行或者多行(R1、R2)与相邻的焊盘分隔开，接线键合接触区域(12)的一行或者多行中的最外行(R2)与相邻焊盘对应的最外行一起确定分隔区域(23)。该方法设想：在分隔区域(23)中沉积传导焊接材料珠(15)，以便将与相邻的焊盘(12a)相对应的接线键合接触区域(12)接合在一起；将器件(20)固定(130)至相应的焊盘(12a)；以及执行(140)热处理，该热处理被设计为将传导焊接材料珠(15)烧结或者回流，形成
基本信息
专利标题 ：
用于制造表面安装类型半导体器件的方法以及对应的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106206326A
申请号 ：
CN201510855210.3
公开（公告）日 ：
2016-12-07
申请日 ：
2015-11-30
授权号 ：
CN106206326B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
F·V·丰塔纳
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201510855210.3
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/60 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2017-01-04 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101695160172
IPC(主分类) : H01L 21/48
专利申请号 : 2015108552103
申请日 : 20151130
号牌文件序号 : 101695160172
IPC(主分类) : H01L 21/48
专利申请号 : 2015108552103
申请日 : 20151130
2016-12-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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