半导体器件及其制造方法
公开
摘要
本公开涉及一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括布置在半导体芯片的主表面上的电接触件；外部连接元件，被配置为在半导体器件与印刷电路板之间提供第一电连接；以及电再分布层，在与半导体芯片的主表面平行的方向上延伸，并被配置为在半导体芯片的电接触件与外部连接元件之间提供第二电连接。电再分布层包括连接到地电位的地线以及被配置为承载具有波长的电信号的信号线。当在垂直于半导体芯片的主表面的方向上查看时：地线与信号线之间的间隙的宽度沿一路径连续小于波长的10％，且至少小于40微米，该路径的起点和半导体芯片的电接触件相对于从电接触件到外部连接元件的中心的方向具有相似的位置。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628345A
申请号 ：
CN202111487320.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
W·哈特纳F·阿尔乔尼T·厄尔德埃尔V·费奥雷H·科尔曼A·罗尼E·斯塔瓦格纳C·瓦格纳
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国诺伊比贝尔格
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
张昊
优先权 ：
CN202111487320.0
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/50 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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