半导体器件的制造方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一种半导体器件的制造方法，制备一包含多根引线的引线框架，使其内引线部分在芯片的电路形成面上延伸(在内引线部分与电路形成面之间粘结有绝缘属片)，或使内引线部分在芯片主要非电路形成面上延伸，从而延长内引线在芯片之上或其附近的长度来改进树脂封装半导体器件中引线与封装树脂间的粘结力，而提高半导体器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052396A
申请号 ：
CN90110138.9
公开（公告）日 ：
1991-06-19
申请日 ：
1986-03-19
授权号 ：
CN1023675C
授权日 ：
1994-02-02
发明人 ：
冲永隆寺馆宏尾崎弘大宽治古川道明山崎康行
申请人 ：
株式会社日立制作所;日立弗尔希工程株式会社
申请人地址 ：
日本茨城县
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
姜华
优先权 ：
CN90110138.9
主分类号 ：
H01L21/58
IPC分类号 ：
H01L21/58 H01L23/485
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/58
半导体器件在支架上的安装
法律状态
2001-11-14 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1994-02-02 ：
授权
1991-06-19 ：
公开
1991-05-29 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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