半导体芯片、半导体器件以及半导体器件的制造方法
公开
摘要
本公开涉及半导体芯片、半导体器件以及半导体器件的制造方法。该半导体芯片包括连接到功率器件的栅极的第一电极、连接到功率器件的发射极或源极的第二电极、第三电极和栅极保护元件。栅极保护元件包括第一节点和第二节点、以及形成在第一节点与第二节点之间的多级p‑n结。当第一电极和第二电极中的一者是目标电极并且另一者是非目标电极时，第一节点被连接到第三电极并且第二节点连接到目标电极。因此，第一电极、第二电极、第三电极和栅极保护元件被形成在同一半导体芯片中。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片、半导体器件以及半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497174A
申请号 ：
CN202111208626.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田中义人桥本英明
申请人 ：
瑞萨电子株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吕世磊
优先权 ：
CN202111208626.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/66 H01L23/544 H01L29/78 H01L29/739
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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