利用回蚀制造的金属－绝缘体－金属电容器
授权
摘要
本发明提供一种制造金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的方法、一种制造具有金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的集成电路的方法，以及一种具有金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的集成电路。所述制造所述金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的方法尤其包含且不限于以下步骤：在衬底(110)上提供材料层(185)；以及在所述衬底上形成具有厚度(t1)的难熔金属层(210)，所述难熔金属层的至少一部分在所述材料层上延伸。所述方法进一步包含减小所述难熔金属层(210)在所述材料层上延伸部分的厚度(t2)，借此形成变薄的难熔金属层(310)；以及使所述变薄的难熔金属层(310)与所述材料层的至少一部分反应，以形成用于电容器中的电极。
基本信息
专利标题 ：
利用回蚀制造的金属－绝缘体－金属电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101171682A
申请号 ：
CN200680014904.3
公开（公告）日 ：
2008-04-30
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
托尼·坦·潘马丁·B·莫拉特
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘国伟
优先权 ：
CN200680014904.3
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L21/20 H01L27/108 H01L29/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2009-08-19 ：
授权
2008-06-25 ：
实质审查的生效
2008-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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