包括金属-绝缘体-金属型电容结构的集成电路和对应制造方法
实质审查的生效
摘要
一种集成电路包括半导体衬底、在衬底正面上方的导电层、第一金属层级中的第一金属轨道、以及位于导电层与第一金属层级之间的金属前电介质区域。金属‑绝缘体‑金属型电容结构位于金属前电介质区域内的沟槽中。该电容结构包括与导电层电连接的第一金属层、与第一金属轨道电连接的第二金属层、以及在第一金属层与第二金属层之间的电介质层。
基本信息
专利标题 ：
包括金属-绝缘体-金属型电容结构的集成电路和对应制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446929A
申请号 ：
CN202111293333.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·福尔纳拉R·西莫拉
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
李春辉
优先权 ：
CN202111293333.4
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L29/94 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20211103
申请日 : 20211103
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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