结合绝缘体上硅技术的前端集成电路
公开
摘要
描述了一种基于SOI的技术平台，其提供完全集成的前端集成电路(FEIC)，该FEIC包含开关、低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA)。可以在该集成电路的厚膜区域中构建PA，产生部分耗尽的绝缘体上硅(PDSOI)PA，并且可以在该集成电路的薄膜区域中构建开关和LNA，产生完全耗尽的绝缘体上硅(FDSOI)开关和LNA。所得到的完全集成的FEIC包含带有FDSOI开关和LNA的PDSOI PA。可以在厚膜区域、薄膜区域或两者中构建无源组件。
基本信息
专利标题 ：
结合绝缘体上硅技术的前端集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497078A
申请号 ：
CN202111341235.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H.王G.A.布林D.S.怀特菲尔德
申请人 ：
天工方案公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
于小宁
优先权 ：
CN202111341235.3
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/84
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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