集成电路器件和制作技术
授权
摘要
集成电路器件和制作技术。一种半导体器件制作方法可以包括在相同处理步骤中掺杂集成电路的衬底的第一和第二部分。第一部分对应于半导体器件的掺杂的区域。第二部分对应于过孔接触。该方法还可以包括在掺杂之后形成半导体器件的栅极。
基本信息
专利标题 ：
集成电路器件和制作技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108109967A
申请号 ：
CN201711332278.9
公开（公告）日 ：
2018-06-01
申请日 ：
2013-12-16
授权号 ：
CN108109967B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
J·H·张
申请人 ：
意法半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201711332278.9
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/11 H01L27/12 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2018-06-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/84
申请日 : 20131216
申请日 : 20131216
2018-06-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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