半导体器件的制作方法和半导体器件
公开
摘要
本申请提供了一种半导体器件的制作方法和半导体器件，该制作方法包括：提供基底，基底包括SiC层、位于SiC层表面上的P型外延层以及位于P型外延层上间隔设置的两个N+区；在两个N+区之间的P型外延层的裸露表面上形成预定金属氧化物层；在预定金属氧化物层的裸露表面上形成SiO2层；在SiO2层的裸露表面上，沉积多晶硅并图案化，形成多晶硅栅极。该方法通过在基底和SiO2层之间沉积预定金属氧化物层，实现了SiC与SiO2的分离，从而避免了在传统热氧化形成SiO2的过程中产生SiO2层陷阱及SiO2/SiC界面陷阱，实现器件沟道迁移率的提高，进而解决了现有技术中半导体器件的沟道迁移率低的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制作方法和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551600A
申请号 ：
CN202210165013.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李荣伟
申请人 ：
苏州龙驰半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区火炬路52号46幢131室
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
霍文娟
优先权 ：
CN202210165013.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/16 H01L29/423
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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