半导体器件的制作方法及半导体器件
授权
摘要
本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。所述半导体器件的制作方法包括：在衬底上形成堆栈层，所述堆栈层包括多个纵向交替堆叠的层间牺牲层和层间绝缘层；形成纵向贯穿所述堆栈层的存储沟道孔和虚拟沟道孔；在所述存储沟道孔和所述虚拟沟道孔的内表面形成牺牲层；在所述堆栈层上形成覆盖所述虚拟沟道孔的保护层；去除所述存储沟道孔中的牺牲层。本发明能够避免虚拟沟道孔的侧壁被损坏，进而避免字线漏电，提高半导体器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制作方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112310105A
申请号 ：
CN202011185285.2
公开（公告）日 ：
2021-02-02
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN112310105B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
李思晢
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
远明
优先权 ：
CN202011185285.2
主分类号 ：
H01L27/11568
IPC分类号 ：
H01L27/11568 H01L27/11582
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法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-02-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11568
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2021-02-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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