半导体器件的制作方法及半导体器件
授权
摘要
本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。所述半导体器件的制作方法包括：在衬底上形成堆栈层，所述堆栈层包括多个纵向交替堆叠的层间牺牲层和层间绝缘层；形成纵向贯穿所述堆栈层的虚拟沟道孔；对所述虚拟沟道孔的侧壁进行氧化，以形成氧化层；在所述虚拟沟道孔中填充介质层；去除所述层间牺牲层，以在所述堆栈层中形成牺牲间隙；在所述牺牲间隙中形成栅极层。本发明能够提高堆栈层的支撑力，避免在去除层间牺牲层后塌陷。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制作方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113078163A
申请号 ：
CN202110312228.4
公开（公告）日 ：
2021-07-06
申请日 ：
2021-03-24
授权号 ：
CN113078163B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
杨永刚艾义明徐伟
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李新干
优先权 ：
CN202110312228.4
主分类号 ：
H01L27/11551
IPC分类号 ：
H01L27/11551 H01L27/11521 H01L27/11578 H01L27/11568
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11551
申请日 : 20210324
申请日 : 20210324
2021-07-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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