半导体器件的制作方法以及半导体器件
公开
摘要

本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件,该方法包括:提供预备基底,预备基底包括衬底以及位于衬底上的栅极;形成步骤,在预备基底的裸露表面上形成第一介质层;去除步骤,至少去除衬底的水平表面上以及栅极的水平表面上的第一介质层,剩余的第一介质层形成位于栅极两侧的子侧墙,得到基底;循环步骤,依次进行形成步骤以及去除步骤至少一次,直到栅极两侧的第一侧墙的在水平方向上的厚度达到预定厚度,第一侧墙由多个子侧墙构成,水平方向与基底的厚度方向垂直;对第一侧墙两侧的衬底进行离子注入,形成轻掺杂源区和/或轻掺杂漏区。本申请缓解了小线宽半导体器件的侧壁刻蚀过程中基脚残留的问题。

基本信息
专利标题 :
半导体器件的制作方法以及半导体器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114566432A
申请号 :
CN202210463029.8
公开(公告)日 :
2022-05-31
申请日 :
2022-04-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
黄重育蔡清彦吴建兴吴佳特
申请人 :
合肥新晶集成电路有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
霍文娟
优先权 :
CN202210463029.8
主分类号 :
H01L21/336
IPC分类号 :
H01L21/336  H01L29/78  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332