半导体器件及制作方法
公开
摘要
公开了一种半导体器件及制作方法。半导体器件可以包括半导体衬底、形成在半导体衬底中的沟槽和衬在沟槽上的第一介电层。半导体器件可以进一步包括布置在沟槽的下部中的第一半导体材料。第一介电层可以布置在半导体衬底和第一半导体材料之间。半导体器件还可以包括布置在第一半导体材料上的第二介电层和布置在沟槽的上部中的第二半导体材料。第一介电层可以布置在半导体衬底和第二半导体材料之间。第二介电层可以布置在第一半导体材料与第二半导体材料之间。半导体器件还可以包括限定在第二半导体材料中的二极管或电阻器中的至少一者。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628521A
申请号 ：
CN202111495135.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·A·叶迪纳克
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张玮
优先权 ：
CN202111495135.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L27/02
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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