半导体器件制作方法

专利权的终止

摘要

提出了一种低成本、高可靠性的半导体器件制作方法，其中通过从衬底剥离具有设于衬底上的薄膜晶体管等的元件形成层而制作半导体器件。在衬底上形成金属薄膜，对其进行等离子体处理以在该金属薄膜上形成金属氧化物薄膜，该金属氧化物薄膜上形成元件形成层，形成绝缘薄膜以覆盖该元件形成层，在该绝缘薄膜和元件形成层内形成开口，通过该开口注入腐蚀剂以除去该绝缘薄膜和元件形成层，从该衬底上剥离该元件形成层。可以通过部分地除去该金属薄膜和金属氧化物薄膜并随后采用物理方法而进行该剥离。

基本信息

专利标题：

半导体器件制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1808689A

申请号：

CN200510128951.8

公开（公告）日：

2006-07-26

申请日：

2005-12-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

田村友子

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘红

优先权：

CN200510128951.8

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00