本申请提供一种半导体器件及半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：引线框架，所述引线框架具有至少一部分载片区；焊接于所述载片区的埋置部件，所述埋置部件在所述引线框架上的正投影不超出所述载片区；焊接于所述埋置部件上的芯片，所述埋置部件在所述引线框架上的正投影位于所述芯片在所述引线框架上的正投影之内。如此，由于本申请在引线框架和芯片之间增设了具有一定厚度的埋置部件，在焊接过程中，从芯片下方溢出的焊料会因为重力作用沿埋置部件的边缘向下流动，从而可以有效避免溢出焊料对芯片的影响导致的功率器件出现参数不良及早期失效的问题。