本发明提供了一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供一衬底，在衬底中形成沟槽；采用第一高密度等离子体化学气相沉积工艺形成第一绝缘层，覆盖沟槽的侧壁及底部；刻蚀去除部分厚度的第一绝缘层；依次重复第一绝缘层的沉积步骤与刻蚀步骤，至第一绝缘层填满沟槽；以及采用第二高密度等离子体化学气相沉积工艺形成第二绝缘层。本发明在形成部分第一绝缘层之后，会刻蚀去除部分厚度的第一绝缘层，以去除沟槽拐角处形成的悬垂物，之后依次重复第一绝缘层的沉积步骤与刻蚀步骤，至第一绝缘层填满所述沟槽，能够防止悬垂物过多以避免沟槽封口，从而避免在沟槽内形成空洞，以此提高半导体器件的电学性能。