半导体器件及其制作方法
授权
摘要
本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、第一半导体层、第二半导体层、欧姆电极和金属电极。金属电极包括电极沟槽和电极侧翼，通过电极侧翼结构的具体设计，进一步扩展了二维电子气耗尽宽度，调制电场分布。本发明所述的半导体器件能够解决半导体器件结构在反偏电压下漏电较大的问题，进一步提高半导体器件的反向击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109786453A
申请号 ：
CN201810381348.8
公开（公告）日 ：
2019-05-21
申请日 ：
2018-04-25
授权号 ：
CN109786453B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
赵树峰
申请人 ：
苏州捷芯威半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区2幢311-B室
代理机构 ：
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐丽
优先权 ：
CN201810381348.8
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/423 H01L21/335
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20180425
申请日 : 20180425
2019-05-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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