本申请提供了一种半导体器件的制作方法与半导体器件。该方法包括：形成包括衬底结构和堆叠结构的基底结构，堆叠结构包括间隔设置的多个绝缘介质层和栅极线狭缝；对相邻的两个绝缘介质层之间的间隔填充预定金属，在任意两个相邻的绝缘介质层之间形成一个第一金属层，第一金属层为字线，在栅极线狭缝的表面上形成第二金属层；对填充预定金属后的第二金属层进行预定离子的注入；去除第二金属层。该方法中，对填充预定金属后的第二金属层注入预定离子，预定离子会在金属层中引入空位型缺陷，从而使得栅极线狭缝中的第二金属层更容易被完整去除，进而解决了现有技术中栅极线中的填充材料不能完全去除，导致漏电发生的问题。