半导体器件的制作方法以及半导体器件
公开
摘要
本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括：提供具有存储阵列和CMOS结构的初始键合结构，存储阵列包括衬底、堆叠结构以及多个接触结构，接触结构贯穿堆叠结构；去除衬底，形成贯穿裸露的堆叠结构的多个虚拟沟道孔以及栅极线狭缝；将栅极线狭缝中的牺牲层置换为金属层。该方法在制作接触结构时无需考虑虚拟沟道孔的工艺窗口，也无需考虑虚拟沟道孔倾斜以及弯曲等问题造成接触结构与虚拟沟道孔接触的问题，保证了接触结构的工艺窗口的较大，同时保证了虚拟沟道孔能较好地支撑堆叠结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制作方法以及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628401A
申请号 ：
CN202210243440.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孔翠翠张坤吴林春周文犀夏志良
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
霍文娟
优先权 ：
CN202210243440.4
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/1157 H01L29/423
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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