半导体器件及其制作方法

授权

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有结构层，所述结构层中形成有暴露出所述衬底的沟槽；在所述结构层表面和所述沟槽表面依次形成金属层和金属氮化物层，高温退火使所述金属层反应生成金属硅化物层；通入SC1和热硫酸去除所述金属氮化物层和未反应的所述金属层；所述沟槽的侧壁附带形成颗粒，所述颗粒的表面形成有氧化层；使用HF清洗所述沟槽，以去除所述颗粒和所述氧化层；使用SC1清洗所述沟槽，以全部去除所述颗粒，消除所述氧化层包裹所述颗粒附着在所述沟槽侧壁引起的空洞缺陷，从而提高半导体器件的良率。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110534414A

申请号：

CN201910935220.6

公开（公告）日：

2019-12-03

申请日：

2019-09-29

授权号：

CN110534414B

授权日：

2022-05-31

发明人：

黄胜男曹开玮李赟

申请人：

武汉新芯集成电路制造有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曹廷廷

优先权：

CN201910935220.6

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/285

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

法律状态

2022-05-31 ：

授权

2019-12-27 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20190929

2019-12-03 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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