半导体器件制作设备
专利权的终止
摘要
一种半导体器件制作设备，包括反应室，用于检测反应室压力的压力计，通过管路与反应室相连的调压装置，所述调压装置与大气环境连通。所述设备可保持反应室内压力的稳定，在制作栅介质层的工艺中，通过控制反应室的压力，提高了形成的栅介质层的厚度均匀性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件制作设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820080305.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-04-30
授权号 ：
CN201194220Y
授权日 ：
2009-02-11
发明人 ：
丁敬秀陆肇勇范建国陆文怡
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
李丽
优先权 ：
CN200820080305.8
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L21/31 H01L21/336 H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
2018-05-25 ：
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 21/283
申请日 : 20080430
授权公告日 : 20090211
申请日 : 20080430
授权公告日 : 20090211
2009-02-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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