制作半导体器件的方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

在半导体衬底的第一区域和第二区域上分别形成硅膜；将P型杂质选择地离子注入到第一区域中的硅膜内；实行第一次退火，以激活注入在硅膜内的P型杂质；在第一次退火之后，将N型杂质选择地离子注入到第二区域中的硅膜内；在离子注入N型杂质之后，在所述硅膜上按CVD方法形成硅化物膜；实行第二次退火，从而排出硅化物膜内所含的气体并激活N型杂质；在硅化物膜上依序形成阻挡层及金属膜；以及绘制金属膜、阻挡金属层、硅化物膜和硅膜图样，从而在第一区域中形成P型多金属栅电极和在第二区域中形成N型多金属栅电极。

基本信息

专利标题：

制作半导体器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819153A

申请号：

CN200610005789.5

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

齐野敢太

申请人：

尔必达存储器股份有限公司

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈瑞丰

优先权：

CN200610005789.5

主分类号：

H01L21/8238

IPC分类号：

H01L21/8238 H01L21/335 H01L21/28

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8232

场效应工艺

H01L21/8234

MIS工艺

H01L21/8238

互补场效应晶体管，例如CMOS

法律状态

2014-06-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101701508389
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利号 : ZL2006100057895
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 尔必达存储器股份有限公司
变更后权利人 : 美光科技公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 美国爱达荷州
登记生效日 : 20140512

2009-01-21 ：

授权

2006-10-18 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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