半导体器件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体器件及其制作方法，制作方法包括：提供一基底，其包括高压区域和低压区域；形成侧墙材料层；形成图形化的光阻层，以图形化的光阻层为掩膜，去除位于低压区域的第二栅极层的侧面的部分厚度的侧墙材料层；刻蚀侧墙材料层形成侧墙。本发明以图形化的光阻层为掩膜，保护高压区域的第一栅极层的侧面的侧墙材料层的同时，去除位于低压区域的第二栅极层的侧面的部分厚度的侧墙材料层；如此一来，在刻蚀侧墙材料层形成侧墙时，高压区域的侧墙厚度大于低压区域的侧墙厚度，同时满足了器件集成时高压元件需要较大厚度的侧墙，低压元件需要较小厚度的侧墙；大幅提高了高压元件与深亚微米器件的集成可行性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267639A
申请号 ：
CN202111467524.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程亚杰
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202111467524.8
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20211203
申请日 : 20211203
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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