半导体器件及其制作方法
实质审查的生效
摘要
公开了一种制造具有金属栅极的半导体器件的方法和该半导体器件。该方法包括：提供与第一导电类型的晶体管相关的第一牺牲栅极和与第二导电类型的晶体管相关的第二牺牲栅极，其中，第一导电类型和第二导电类型互补。用第一金属栅极结构代替第一牺牲栅极；形成图案化的介电层和/或图案化的光致抗蚀剂层以覆盖第一金属栅极结构；用第二金属栅极结构代替第二牺牲栅极。该方法可以在两次金属栅极化学机械抛光过程中提高栅极高度均匀性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464573A
申请号 ：
CN202110474624.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-04-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈东煌陈彦羽陈柏安黄循康
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202110474624.7
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20210429
申请日 : 20210429
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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