本实用新型提供一种半导体器件制作设备，包括反应室；通过连接管与反应室连接的控制阀；恒压室，所述控制阀通过管道与恒压室连通；用于检测反应室压力的压力计；通过管道与恒压室相连的调压装置，所述调压装置与大气环境连通。本实用新型还提供一种半导体器件制作系统，包括，一个以上的半导体器件制作设备，与所述一个以上的半导体器件制作设备分别连通的恒压室，用于检测恒压室压力的压力计，通过管道与恒压室相连的调压装置，所述调压装置与大气环境连通。所述的半导体器件制作设备以及系统在不改变现有的半导体器件制作设备的基础上，保持反应室内压力的稳定，提高了形成的栅介质层的厚度均匀性。