半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统。该制作方法包括：形成衬底、堆叠结构以及多个沟道孔，堆叠结构位于衬底的表面上，堆叠结构包括沿远离衬底方向间隔设置的绝缘介质层，相邻的两个绝缘介质层之间形成凹槽，各沟道孔间隔地位于堆叠结构中且分别贯穿至衬底；在各沟道孔的裸露外壁上形成第一介质层，第一介质层连接至少三个相邻的沟道孔，并在连接的至少三个相邻的沟道孔之间形成空洞；在形成有第一介质层的各凹槽中填充金属材料，形成多个金属层。该方法中，金属材料中的F离子被第一介质层阻挡，缓解了现有技术中CH尺寸较大的地方较易发生F扩散引起的CH的电介质损伤，影响器件的电性能的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制作方法、半导体器件以及存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464627A
申请号 ：
CN202210139283.2
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜丙杰谢景涛
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
霍文娟
优先权 ：
CN202210139283.2
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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