半导体器件以及包括该半导体器件的数据存储系统
公开
摘要
本发明公开一种半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统，该半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；栅电极，在第一方向上堆叠在第一区域上，在第二区域上以不同的长度在第二方向上延伸，并分别包括在第二区域中的焊盘区域，该焊盘区域具有被向上暴露的上表面；与栅电极交替堆叠的层间绝缘层；沟道结构，在第一方向上延伸并穿透栅电极；插塞绝缘层，在焊盘区域下面与层间绝缘层交替地设置并平行于栅电极；以及接触插塞，在第一方向上延伸并分别穿透焊盘区域和在焊盘区域下面的插塞绝缘层。在每个栅电极中，焊盘区域具有与除了焊盘区域之外的区域的物理特性不同的物理特性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件以及包括该半导体器件的数据存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582883A
申请号 ：
CN202111453294.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李昇珉金俊亨金江旻俞炳瓘
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
弋桂芬
优先权 ：
CN202111453294.X
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/11556
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
