半导体器件及其制造方法、以及海量数据存储系统
公开
摘要
一种半导体器件，包括在基板上的栅电极结构，栅电极结构包括在第一方向上彼此间隔开的栅电极，每个栅电极在第二方向上延伸；存储器沟道结构，延伸穿过基板上的栅电极结构，该存储器沟道结构包括沿第一方向延伸的沟道；电荷储存结构，围绕沟道的外侧壁；第一填充图案，填充由沟道形成的内部空间；以及第一封盖图案，位于沟道和第一填充图案上的；以及虚设电荷储存结构，延伸穿过基板上的栅电极结构，所述虚设电荷储存结构包括沿第一方向延伸的第二填充图案；虚设电荷储存结构，围绕第二填充图案的外侧壁；以及第二封盖图案，位于第二填充图案上。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法、以及海量数据存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582880A
申请号 ：
CN202111077117.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-09-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜珉准朴昞坤申重植
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN202111077117.6
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11575 H01L27/11582
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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