半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统。所述方法包括：提供基底和多个栅极结构，所述基底包括多个间隔设置的有源区，所述多个栅极结构一一对应地位于多个有源区上；在相邻栅极结构之间形成具有空隙的间隔层。本发明实施例能够降低相邻栅极结构之间寄生电容的介电常数，提高半导体器件的电性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388440A
申请号 ：
CN202111651587.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜丙杰
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李莎
优先权 ：
CN202111651587.9
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088 H01L27/11529 H01L27/11573
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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