半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统，半导体器件包括：衬底，衬底包括沿第一方向设置的器件区；隔离结构，隔离结构用于将器件区隔离；位于器件区上的栅极结构，栅极结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸；其中，器件区包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区沿第一方向位于栅极结构的两侧设置，第二掺杂区位于第一掺杂区在第二方向上的外侧，第一掺杂区与第二掺杂区的掺杂状态不同。通过第一掺杂区与第二掺杂区的掺杂状态不同，可以改变栅极结构在第二方向上的有效通道宽度，以改善半导体器件的Id‑Vg曲线的双驼峰现象，以提高半导体器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551571A
申请号 ：
CN202210154599.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王欣孙超
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟霞
优先权 ：
CN202210154599.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/11524 H01L27/11551 H01L27/1157 H01L27/11578
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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